DAN222TL【PDF 1/3 页】DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416

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Data Sheet

www.rohm.com

Band Switching Diode

DAN222

?Applications

?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)

Ultra high speed switching

?Features

1) Ultra small mold type. (EMD3)

2) High reliability.

?Construction

Silicon epitaxial planar

?Structure

?Taping specifications (Unit : mm)

?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter LimitsSymbol Unit

Reverse voltage (repetitive peak) 80VRM

Reverse voltage (DC) 80VR

Forward current (single) 300IFM

Average rectified forward voltage (single) 100Io mA

Isurge

Power dissipation 150Pd mW

Junction temperature 150Tj °C

Tstg °C?55 to ?150

Rated in slash put frequency 100f MHz

?Electrical characteristics

(Ta=25°C)

Symbol Min. Typ. Max. Unit

- - 1.2 V IF=100mA

- - 0.1

μAVR=70V

Ct - - 3.5 pF VR=6V , f=1MHz

trr - - 4 ns

VR=6V , IF=5mA , RL=50?

Surge current （t=1us）

Storage temperature

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

Parameter

Conditions

Forward voltage

Reverse current

EMD3

0.6

1.0

0.7

0.5

0.7

0.6

1.3

ROHM : EMD3

JEITA : SC-75A

JEDEC : SOT-416

dot (year week factory)

(3)

1.6±0.2

1.0±0.1

0.8±0.1

0.5

(2)

(1)

0.15±0.05

0.7±0.1

0.55±0.1

0.1Min

0～0.1

0.2±0.1

　　-0.05

0.3±0.1

　　　 0.05

4.0±0.1

2.0±0.05

φ1.55±0.1φ1.5?0.1

　　　　　 0?0

3.5±0.05

1.75±0.1

8.0±0.2

φ0.5±0.1

1.8±0.2

0.3±0.1

1.8±0.1

5.5±0.2

0.9±0.2

0～0.1

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2011.06 - Rev.B

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